原子層沉積系統FlexAL ALD
原子層沉積(ALD)是一種真正的"奈米"技術,以精確控制的方式沉積幾個納米的超薄薄膜。 原子層沉積的兩個限定性特征--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導體工程,微機電系統和其他奈米技術應用提供了許多好處。

原子層沉積的優點

因為原子層沉積製程在每個周期內精確地沉積一個原子層,所以能夠在奈米尺度上對沉積工藝進行完全控制
即使在非常高的縱橫比和復雜結構的條件下,保形鍍膜也能夠實現
可實現無針孔和顆粒的沉積

很多種類的材料都可以采用原子層沉積:
氧化物:包括HfO2, HfSiO, Al2O3, Ta2O5, TiO2, La2O3, SiO2, ZnO
氮化物,包括TiN, TaN, AlN, SiNx, HfN
金屬,包括Ru, Cu, W, Mo
遠程等離子體原子層沉積的優點

除了具有熱原子層沉積的優點,遠程等離子體允許更廣泛地選擇用作源的化學品,同時還提高薄膜質量:

等離子體能夠實現低溫的原子層沉積工藝,遠程源能維持低的等離子體損傷
采用氫氣等離子的更有效的金屬源,而不是復雜的加熱的源
消除了水作為一種源的需要,減少了每個原子層沉積周期之間的清洗次數--尤其是在低溫條件下。
通過進一步的去除雜質來獲得更高質量的薄膜,從而獲得更低的電阻率、更高的密度、等。
能夠控制化學計量
等離子體表面處理
對於某些材料可以采用等離子體清洗反應室
原子層沉積的應用

包括:

高K值的柵極氧化物
儲能電容器介質
用於有機發光二極管和聚合物的無針孔的鈍化層
單晶矽太陽能電池的鈍化
用於Cu互聯的高縱橫比的擴散阻擋層
黏合層
有機半導體
用於微流體和微機電系統應用的高保形鍍膜
其他奈米技術和納米電子應用
奈米孔結構的鍍膜
燃料電池,如催化層的單種技術鍍膜
生物微機電系統