反應離子蝕刻系統RIE
PlasmaProTM NGP800 – 次一代等離子體處理系統

為等離子體刻蝕和沉積集合了開放式進樣工具

多重處理技術
PlasmaPro NGP800在同一個平台上提供了通用的等離子體刻蝕和沉積技術解決方案,並且帶有便利的開放式進樣裝置。系統集合了微足印(smallfootprint)技術,可方便地進行定位及使用,且不會對工藝質量產生不良影響。
該設備是研發或小規模量產的理想工具,可處理從小塊樣品到直徑300mm的晶片。開放式進樣設計使晶片可以快速進片及退片,適合研究、原型開發及小量生產。


PlasmaPro NGP800的優勢:
• 兼容Semi S2/S8安全標准
• 關鍵組建方便裝卸有利於維護
• 最新一代的總線控制系統可以極大地提升數據的檢索、傳送、重復匹配能力
• 新的增強用戶界面
• 利用前端軟件的錯誤及工具診斷功能實現快速的錯誤診斷
• 自動的清洗功能可以清除管道內的有毒物質並對管道進行衝洗,通過前端軟件實現安全且完全的自鎖清洗控制

 

批量尺吋:

晶圓載盤
下板電極(尺寸)
380mm
RIE/PE
460mm
RIE
可接受大小大小    
50mm/2” 30 > 43
75mm/3” 13 21
100mm/4” 8 12
150mm/6” 3 5
200mm/8” 1 2
300mm/12” 1 1