電漿增強化學氣相沉積系統(PECVD)

電漿增強化學氣相沉積系統((PECVD)

主要特點

射頻驅動(兆赫茲和/或千赫茲)的頂電極;底(襯底)電極上沒有射頻偏壓
襯底直接置於加熱電極上
氣體通過頂電極上的噴淋頭式進氣口進入反應室
工作壓強0.5-1.0托
功率密度0.02-0.1Wcm-2
 
優點

和傳統的化學氣相沉積相比製程溫度更低
通過高/低頻混合技術可以控制薄膜應力
具有結束點控制的等離子體乾法清洗工藝減少或杜絕了物理/化學清洗反應室的需要
通過工藝條件來控制化學計量
提供廣泛的材料沉積,包括:氧化矽、氮化和氮氧化的沉積,它們廣泛應用於光子結構、鈍化、硬膜等。
非晶(a-Si:H)
具有保階梯覆蓋或無空隙良好階梯矽覆蓋的正矽酸乙酯二氧化矽
SiC 碳化
類金剛石膜

  • Batch sizes

    Wafer size No. Wafers
    50mm/2” > 43
    75mm/3” 21
    100mm/4” 12
    150mm/6” 5
    200mm/8” 2
    300mm/12” 1