感應耦合電漿蝕刻系統多片機

System 133 - 300毫米大批量等離子體刻蝕與沉積設備

該System133製程設備具有300毫米大尺寸和大批量刻蝕和沉積能力,配置靈活,能進行ICP、RIE、PECVD和ICP-PECVD(HD-PECVD)工藝,可用於多種材料和器件。

產品優點
300mm單晶片處理能力,業界領先的批處理能力:20 x 2" , 8 x 3" , 4 x 4"
選擇單晶片/批處理或盒式進樣,採用真空腔體。 該PlasmalabSystem133可以集成到一個集群系統中,採用中央機械手傳送晶片,生產工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送.
使用一系列的電極控制襯底溫度,其溫度範圍為-150 ° C至700° C
利用激光干涉和/或光發射譜的終點檢測可安裝在PlasmalabSystem133中以加強刻蝕控制
可選的4、8或12路氣箱為製程流程和製程氣體提供了選擇上的靈活性,並可以放置在遠端,遠離主要製程設備

製程
有關300mm和大批量應用的​製程請與我們聯系,例如:

高亮度LED:業界領先的批量生產性能:GaNAlGaN和相關材料;藍寶石和SiC襯底刻蝕
300毫米SiO2, SiNx沉積
類金剛石碳(DLC)的沉積和刻蝕