電漿增強化學氣相沉積系統TEOS多片機

 

System 100 -等離子刻蝕與沉積設備

該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和澱積工藝設備。 採用真空腔體進樣可進行快速的晶片更換、採用多種製程氣體並擴大了容許的溫度範圍。
 
具有最大的工藝靈活性,適用於化合物半導體,光電子學,光子學,微機電系統和微流體技術, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,詳情如下。

主要特點
可處理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")預制和試生產的能力
選擇單晶片/批處理或盒式進樣,進行真空腔體。 該PlasmalabSystem100可以集成到一個集群系統中,採用中央機械手傳送晶片,生產工藝中採用全片盒到片盒晶片傳送. 用一系列的電極進行襯底溫度控制,其溫度範圍為-150 ° C至700° C
用於終端檢測的雷射干涉和/或光發射譜可安裝在Plasmalab System100以加強刻蝕控制。
選的6 或12路氣箱為製程流程和製程氣體提供了選擇上的靈活性,並可以放置在遠端,遠離主要製程設備。

製程
一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設備的例子:

低溫矽刻蝕,深矽刻蝕和SOI工藝,應用於MEMS ,微流體技術和光子技術
用於雷射器端面的III - V族刻蝕製程,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應用,材料範圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
 GaN、AlGaN等的預生產和研發製程,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕
高品質,高速率SiO2沉積,應用於光子器件
金屬(Nb, W)刻蝕

Batch Sizes

Wafer size No. Wafers
50mm/2” 14
75mm/3” 5
100mm/4” 3
150mm/6" 1
200mm/8" 1