Monolayer Graphene on PET (25mm x 25mm) 石墨烯CVD薄膜
Monolayer Graphene on Cu (4 Inches)
以CVD在銅箔上製成,在濕轉移至SiO2/Si基板
適用於R&D及學術研究單位使用
 
石墨烯薄膜
 • Transparency  > 97%
 • Coverage  > 95%
 • Thickness (theoretical)  0.345 nm
 • FET mobility on Al₂O₃: 2000 cm2/Vs
 • Hall mobility on SiO₂/Si: 4000 cm2/Vs
 • Sheet Resistance: 450±40 Ohms/sq (1cm x 1cm)
 • Grain size: Up to 10 μm
 
SiO2/Si基板
 • Dry Oxide Thickness: 300 nm (+/-5%)
 • Type/Dopant: P/Bor
 • Orientation: <100>
 • Resistivity: <0.005 Ohm·cm
 • Thickness: 18 µm
 • Front surface: Single Side Polished
 • Back Surface: Etched
 • Particles: <10@0.3 μm
 
品質管控
所有的樣品都經過嚴格的品質管控,以確保產品的高品質和穩定性
 • Raman Spectroscopy: I(G)/I(2D)<0.5; I(D)/I(G)<0.05
 •透過OM檢查每一樣品,保障轉移後的品質與純度
 
應用
學術研究、石墨烯電晶體、光電、等離子、奈米光子、光電偵測(測量光通量、光功率)、生物傳感器、航太工業、MEMS、NEMS等